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IQD020N10NM5ATMA1实物图
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IQD020N10NM5ATMA1

N沟道 100V 276A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：N-channel, normal level。 极低导通电阻Rps(on)。 卓越的热阻，100%雪崩测试。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌名称
Infineon(英飞凌)
商品型号
IQD020N10NM5ATMA1
商品编号
C22462713
商品封装
TSON-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.63克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)276A
导通电阻(RDS(on))2.05mΩ@10V
耗散功率(Pd)333W
阈值电压(Vgs(th))3.8V@159uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)134nC@10V
输入电容(Ciss)9.5nF
反向传输电容(Crss)74pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.3nF

数据手册PDF

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