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YHJ-65P150AMC

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属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
沟道类型-
技术路线垂直工艺
Vds-漏源击穿电压650V
Id-漏极电流(25℃)12A
Pd-功耗-
Vgs(th)-阈值电压-
属性参数值
RDS(on)-导通电阻(10V)150mΩ
RDS(on)-导通电阻(8V)-
RDS(on)-导通电阻(6V)-
RDS(on)-导通电阻(4.5V)-
RDS(on)-导通电阻(2.5V)-
Qg-栅极电荷10nC

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