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YHJ-65H225DDC
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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- 描述
- 集成 GaNFET 不仅具备 E 模式 GaN 的优势，还与常见的 E 模式 GaN、Cascode GaN 和 Si MOSFET 兼容。提供高击穿电压、高电流和高工作速度，适用于高功率应用。
- 品牌名称
- 誉鸿锦
- 商品型号
- YHJ-65H225DDC
- 商品编号
- C22458938
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.203克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 90pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 50pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 215mΩ |