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YHJ-65P150AMC
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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- 描述
- 是一款采用共源共栅配置的常关型氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件，具有高击穿电压、高电流和高工作速度，适用于高功率应用。
- 品牌名称
- 誉鸿锦
- 商品型号
- YHJ-65P150AMC
- 商品编号
- C22458936
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3468克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | - | |
| 技术路线 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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