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HG2269N实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HG2269N

反激式开关电源芯片,具有低待机功耗、无噪声工作、内置OCP补偿和完善保护功能等特性

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品牌名称
HGSEMI(华冠)
商品型号
HG2269N
商品编号
C22446587
商品封装
DIP-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.905克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录AC-DC控制器和稳压器
是否隔离隔离
工作电压-
开关频率50kHz;65kHz;45kHz~100kHz
输出电流-
耗散功率(Pd)-
最大占空比-
属性参数值
晶体管耐压-
拓扑结构反激式
功能特性欠压保护(UVP);过热保护(OTP);短路保护(SCP);过压保护(OVP);过流保护(OCP);软启动
工作温度-
工作模式CCM;DCM
输出电压-
反馈方式副边反馈

商品概述

HG2268/HG2269采用独特的电流模式结构设计方案,旨在提升电源系统的性价比以满足广泛需求。该系列芯片具备低待机功耗特性,通过特别的低功耗间歇工作模式设计,使系统在空载及轻载状态下均能达到超低功耗标准。其设计确保电源在任何负载条件下均无音频噪声,实现安静工作。芯片具有极低的启动电流与工作电流,有助于减少启动损耗、缩短启动时间并提高系统效率。内置前沿消隐功能可节省外部RC网络,降低成本。内置的OCP补偿功能使系统在全电压范围内获得平坦的OCP曲线,无需额外成本。芯片集成了完善的保护功能,包括OVP、UVLO、OCP、恒定OPP及外部可调OTP,确保设计简洁可靠并符合安规要求。MOSFET软驱动有助于改善系统EMI。外围器件较少,有助于提高功率密度并降低成本。HG2269型号内置频率抖动设计,可有效改善系统EMI特性并降低相关成本。该系列芯片提供DIP-8、SOP-8和MSOP-8封装选项。

商品特性

  • 低待机功耗:通过低功耗间歇工作模式,使系统在空载及轻载下达到超低功耗标准。
  • 无噪声工作:优化设计确保空载、轻载和满载下均无音频噪声。
  • 低启动电流:VIN/VDD启动电流低至4uA,减少启动电路损耗,缩短启动时间。
  • 低工作电流:工作电流约2.3mA,降低系统损耗,提高效率。
  • 内置前沿消隐:节省外部R-C网络,降低系统成本。
  • 内置OCP补偿:使系统在全电压范围内获得平坦的OCP曲线,无需增加成本。
  • 完善的保护功能:集成OVP、UVLO、OCP、恒定OPP和外部可调OTP功能,设计简洁可靠,符合安规。
  • MOSFET软驱动:有效改善系统EMI。
  • 较少的外围器件:简化外围电路,提高功率密度,降低成本。
  • 优良的EMI特性:HG2269内置频率抖动设计,有效改善EMI并降低成本。

应用领域

  • 电源适配器
  • 开放式开关电源
  • 机顶盒电源
  • 辅助电源

数据手册PDF