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INS2001FQ
*半导体*晶体管
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- 描述
- 是一款100V半桥驱动器，旨在高效驱动高端和低端氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。专为GaN FET设计，解决了传统MOSFET驱动解决方案面临的诸多挑战。内部智能自举（BST）开关可防止在死区时间内高端浮动电源BST电容过度充电，从而保护GaN FET的栅极，同时为GaN FET的两侧保持一致的栅极电压。提供丰富的故障保护，包括独立的VCC和BST欠压锁定、VCC过压锁定和过温保护。有两个逻辑输入，可独立控制高端和低端驱动器，实现最大灵活性，驱动器具有分离输出，可分别调节导通和关断速度。强大的驱动能力和出色的延迟匹配使其适用于高功率和高频应用。
- 商品型号
- INS2001FQ
- 商品编号
- C22439612
- 商品封装
- FCQFN-12(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0674克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4.3A | |
| 拉电流(IOH) | 1.7A | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 7ns | |
| 下降时间(tf) | 3ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 14ns | |
| 传播延迟 tpHL | 14ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过压保护(OVP)；过热保护(OTP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.2V | |
| 静态电流(Iq) | 35uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
INS2001是一款100V半桥驱动器，旨在高效驱动高侧和低侧氮化镓场效应晶体管。该器件专为氮化镓场效应晶体管设计，解决了传统MOSFET驱动解决方案面临的诸多挑战。其内部智能自举开关可在死区时间内防止高侧浮动电源的自举电容过充，从而保护氮化镓场效应晶体管的栅极，同时为氮化镓场效应晶体管两侧维持一致的栅极电压。该器件提供了丰富的故障保护功能，包括独立的VCC和自举欠压锁定、VCC过压锁定以及过温保护。INS2001具有两个独立的逻辑输入，可分别控制高侧和低侧驱动器，以实现最大灵活性；驱动器具有分离开输出，可分别调整开启和关断速度。强大的驱动能力和出色的延迟匹配特性使得INS2001适用于高功率和高频应用。
商品特性
- 独立的高侧与低侧逻辑输入
- 分离开输出，用于可调节的开启/关断速度
- 强大的1Ω上拉和0.2Ω下拉电阻
- 内部强大且智能的自举开关
- 快速传播延迟（典型值14ns）
- 出色的延迟匹配（典型值1ns）
- 高侧浮动电源工作电压高达100V
- 内置欠压锁定、过压锁定、过温保护
- 35μA低VCC静态电流
- FCQFN 3mm×3mm封装
应用领域
- 半桥和全桥转换器
- 高压同步DC-DC转换器
- 高频、高功率密度应用
- 48V直流电机驱动
- 高功率D类音频功率放大器