MT53D512M32D2DS-046 IT:D
X32 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性:超低电压核心和I/O电源:VDD1(overline) = 1.70-1.95V(标称值1.80V),VDD2(overline) = 1.06-1.17V(标称值1.10V),VDDQ(overline) = 1.06-1.17V(标称值1.10V)或低VDDQ(overline) = 0.57-0.65V(标称值0.60V)。 频率范围2133-10MHz(数据速率范围:4266-20Mb/s/pin)。 16n预取DDR架构。 每个通道8个内部存储体,用于并发操作
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53D512M32D2DS-046 IT:D
- 商品编号
- C22437470
- 商品封装
- WFBGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.336克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能;自动自刷新;内置温度传感器;自动预充电功能;ZQ校准功能 |
- MT53D1024M32D4DT-046 WT:D
- MT40A1G16RC-062E:B
- MT48LC8M16A2B4-6A IT:L
- ACBS-08BK-H-006
- NV0914BH3I155E030N100
- NV0805N470J102CEDN
- NL0805N221J500CPAN
- ULN2803
- G07B1E221KN0B0H0N0
- G07B1E331KQ0T2H0P0
- G07B3E101KA5B0H0N0
- G07B3E471KA5B0H0N0
- G07B8E471KP0T2H0P0
- G07E1E102MN0B0H0N0
- G07E1E102MQ0T0H0N0
- G07E8E102MP0T0H0P0
- G08F1E222MN0B0H0N0
- G09F1E332MN0B0H0N0
- G09F1E332MQ0T0H0P0
- G10E1E222MN0B0H0N0
- G10E1E222MQ0T0H0N0
