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15N10

N沟道 耐压:100V 电流:14.6A

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描述
类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流(Id): 15A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V
品牌名称
WEIDA(韦达)
商品型号
15N10
商品编号
C22437008
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4452克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)14.6A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)41.7W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)20.6nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这款功率MOSFET采用先进的沟槽(TRENCH)技术制造。该先进技术经过特别设计,可最大程度降低导通损耗,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。

商品特性

  • VDS = 100 V,ID = 14.6 A
  • 当VGS = 10V时,RDS(on) < 90 mΩ
  • 当VGS = 4.5V时,RDS(on) < 105 mΩ
  • 有环保型器件可供选择
  • 栅极电荷低
  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 100%保证耐雪崩能力

应用领域

-电源管理开关-DC/DC转换器

数据手册PDF