DRV8329AQRGFRQ1
4.5V至60V三相BLDC栅极驱动器
- 描述
- 65V 三相半桥栅极驱动器,可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET(NMOS),4.5V 至 60V 工作电压范围,具有涓流电荷泵,支持 100%占空比。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- DRV8329AQRGFRQ1
- 商品编号
- C22435456
- 商品封装
- VQFN-40-EP(5x7)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.733333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 三相;半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 1A | |
| 工作电压 | 4.5V~60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 100ns | |
| 传播延迟 tpHL | 100ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.2V~5.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 0V~800mV | |
| 静态电流(Iq) | 1uA | |
| 功能特性 | 使能关断;交错导通保护;死区时间控制;充电泵升压 |
商品概述
DRV8329-Q1 系列器件是适用于三相应用的集成栅极驱动器。这类器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。该器件使用内部电荷泵生成合适的栅极驱动电压,使用自举电路增强高侧 MOSFET。该器件具有涓流电荷泵,支持 100% 占空比。此栅极驱动架构支持高达 1A 的栅极驱动峰值拉电流和 2A 的栅极驱动峰值灌电流。DRV8329-Q1 由单一电源供电,支持 4.5V 至 60V 的宽输入电源电压范围。6x 和 3x PWM 模式可简化与控制器电路的连接。该器件具有集成的精密 3.3V LDO,该 LDO 可用于为外部控制器供电,并可用作 CSA 的基准电压。该器件的配置设置可通过硬件引脚来配置。DRV8329-Q1 器件集成了低侧电流检测放大器,可在驱动级的全部三个相位上进行电流检测,以获得电流总和。该器件提供低功耗休眠模式,通过关断大部分内部电路实现了低静态电流。该器件针对欠压锁定、GVDD 故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路和过热等情况,提供内部保护功能。故障条件在 nFAULT 引脚上指示。
商品特性
- 65V 三相半桥栅极驱动器
- 可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET(NMOS)
- 4.5V 至 60V 工作电压范围
- 具有涓流电荷泵,支持 100% 占空比
- 基于自举的栅极驱动器架构
- 1000mA 最大峰值拉电流
- 2000mA 最大峰值灌电流
- 具有低输入失调电压的集成电流检测放大器(针对 1 个分流器进行了优化)
- 可调增益(5V/V、10V/V、20V/V、40V/V)
- 硬件接口提供简单配置
- 温度为 25℃ 时,超低功耗休眠模式下的电流 <1uA
- 4ns(典型值)相位间传播延迟匹配
- 独立驱动器关断路径 (DRVOFF)
- 65V 耐压唤醒引脚 (nSLEEP)
- SHx 引脚瞬态负压可达 -10V
- 6x 和 3x PWM 模式
- 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
- 精密 LDO (AVDD),3.3V ±3%,80mA
- 紧凑型 QFN 封装和尺寸
- 可通过 VDSLVL 引脚调节 VDS 过流阈值
- 可通过 DT 引脚调节死区时间
- 具有电源块的高效系统设计
- 集成保护特性,包含 PVDD 欠压锁定 (PVDDUV)、GVDD 欠压 (GVDDUV)、自举欠压 (BST_UV)、过流保护(VDS_OCP、SEN_OCP)、热关断 (OTSD)、故障状态指示器 (nFAULT)
应用领域
- 无刷直流 (BLDC) 电机模块和 PMSM
- 汽车泵
- 汽车 HVAC 风扇
- 电动自行车、电动踏板车和电动汽车
- 汽车车身电子装置(车窗、车门、天窗、座椅、雨刮器)模块



