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IXFK80N50P
N沟道增强型雪崩额定功率MOSFET，内置快速二极管
- 描述
- 特性：国际标准封装。 无钳位电感开关 (UIS) 额定值。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFK80N50P
- 商品编号
- C22426354
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.04kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@8mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 197nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.28nF |
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