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IXFK170N20P实物图
  • IXFK170N20P商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFK170N20P

200V N沟道增强型功率MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
特性:动态dv/dt额定值。 雪崩额定值。 快速本征二极管。 低Q。 低RDS(on)。 低漏极到管壳电容。应用:DC-DC转换器。 电池充电器
品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXFK170N20P
商品编号
C22426465
商品封装
TO-264​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)170A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.25kW
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)185nC@10V
输入电容(Ciss)75nF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)11.4nF

商品特性

  • 动态 dv/dt 额定值
  • 雪崩额定
  • 快速本征二极管
  • 低栅极电荷 (QG)
  • 低导通电阻 (RDS(on))
  • 低漏极到散热片电容
  • 低封装电感
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

-直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-不间断电源-交流电机驱动器-直流斩波器-高速功率开关应用

数据手册PDF