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HP8KE7TB1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装(HSOP8)
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 无卤素
应用领域
-开关应用