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S70FL01GSAGBHMC10
FL-S 闪存，支持 SPI 多 I/O 接口
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S70FL01GSAGBHMC10
- 商品编号
- C22420272
- 商品封装
- BGA-24(8x6)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 6.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；软件写保护；上电复位 |
商品概述
本文档包含S70FL01GS器件的信息，该器件是由两个S25FL512S芯片堆叠而成的双芯片堆叠器件。有关详细规格，请参阅受影响文档/相关文档表中提供的独立芯片数据手册。
商品特性
- CMOS 3.0 V内核
- 支持多路I/O的串行外设接口(SPI)
- SPI时钟极性和相位模式0与3
- 双倍数据速率(DDR)选项
- 扩展寻址：32位地址
- 串行命令集和封装与S25FL-A、S25FL-K和S25FL-P SPI系列兼容
- 多路I/O命令集和封装与S25FL-P SPI系列兼容
- 读取命令：常规、快速、双路、四路、快速DDR、双路DDR、四路DDR
- AutoBoot - 上电或复位后，在预选地址自动执行常规或四路读取命令
- 用于配置信息的通用闪存接口(CFI)数据
- 编程速度(1.5 Mbytes/s)
- 512字节页编程缓冲区
- 用于慢时钟系统的四路输入页编程(QPP)
- 擦除速度(0.5 Mbytes/s)
- 统一的256-kbyte扇区
- 循环耐久性：最低100,000次编程-擦除周期
- 数据保持：最低20年
- 安全特性：2048字节的一次性编程(OTP)阵列
- 块保护：状态寄存器位用于控制对连续扇区范围的编程或擦除保护
- 硬件和软件控制选项
- 高级扇区保护(ASP)
- 由引导代码或密码控制的独立扇区保护
- 采用Eclipse架构的Infineon® 65 nm MirrorBit®技术
- 内核电源电压：2.7 V 至 3.6 V
- I/O电源电压：1.65 V 至 3.6 V
- 温度范围/等级：工业级(-40℃ 至 +85℃)、工业增强级(-40℃ 至 +105℃)、汽车级AEC-Q100 Grade 3(-40℃ 至 +85℃)、汽车级AEC-Q100 Grade 2(-40℃ 至 +105℃)、汽车级AEC-Q100 Grade 1(-40℃ 至 +125℃)
- 封装(全部无铅)：16引脚SOIC(300 mils)、BGA-24，8×6 mm、5×5球(ZSA024)封装