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NTBLS0D8N08XTXG
N沟道 耐压:80V 电流:457A
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- 描述
- 特性：低QRR，软恢复体二极管。 低RDS(on)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗。 这些器件无铅、无卤/BFR且符合RoHS标准。应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流（SR）。 隔离式直流-直流转换器中的初级开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBLS0D8N08XTXG
- 商品编号
- C22416475
- 商品封装
- HPSOF-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 457A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.79mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 325W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@720uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 174nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.67nF |
商品特性
- 动态 dv/dt 额定值
- 雪崩额定
- 快速本征二极管
- 低栅极电荷 (QG)
- 低导通电阻 (RDS(on))
- 低漏极到散热片电容
- 低封装电感
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-不间断电源-交流电机驱动器-直流斩波器-高速功率开关应用