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LM339BIDR
LM339BIDR
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- 描述
- 下一代B版本比较器具有更低的失调电压、更高的电源电压能力、更低的电源电流、更低的输入偏置电流和更低的传播延迟，并通过专用ESD钳位提高了2kV ESD性能和输入耐用性。可直接替代LM239、LM339和LM2901（“A”和“V”版本）。所有器件都包含四个独立的电压比较器，这些比较器可在宽电压范围内由单电源供电运行。静态电流不受电源电压的影响。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM339BIDR
- 商品编号
- C22416291
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 比较器数 | 四路 | |
| 输入失调电压(Vos) | 370uV | |
| 输入偏置电流(Ib) | 3.5nA | |
| 传播延迟(tpd) | 1us | |
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 输出类型 | 开漏 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出模式 | MOS；TTL；CMOS | |
| 静态电流(Iq) | 800uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 38V | |
| 单电源 | 2V~36V | |
| 输入失调电流(Ios) | 0.5nA | |
| 响应时间(tr) | 1us |
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