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AGM3012AP-CP
1个N沟道 耐压:30V 电流:139A
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- 描述
- AGM3012AP - CP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM3012AP-CP
- 商品编号
- C22400167
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 139A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 217pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 2.025nF |
商品概述
AGM3012AP - CP 将先进的沟槽型 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，从而实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。
商品特性
- 高密度先进沟槽技术
- 低导通电阻 RDS(ON)，以最大程度减少导通损耗
- 低栅极电荷，实现快速切换
- 低热阻
- 100% 阀值电击穿测试
- 100% 动态电压应力测试
应用领域
- 主板/显卡核心电压 - 开关电源的次级侧同步整流 - 电源负载应用 - 无刷直流电机驱动器