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BLP021N10-T
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 通过先进的双沟槽 II 技术制造，可降低传导损耗，提高开关性能，增强雪崩能量。适用于电池管理系统和大电流开关应用。
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BLP021N10-T
- 商品编号
- C22396747
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 292A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 168nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.132nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 532pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.78nF |
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