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CJT03P10
SOT-223 塑料封装 P 沟道功率 MOSFET
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- 描述
- 这款CJT03P10采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJT03P10
- 商品编号
- C22396827
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26768克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
这款CJT03P10采用先进的沟槽技术和设计，在具备低栅极电荷的同时，还能提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 优秀的封装,散热性能良好