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PJM60H12MNSA
耐压:600V 电流:0.03A
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- 描述
- 耗尽型MOSFET,1个N沟道，600V 30mA ,0.5W,RDS(ON)<700Ω@Vgs=0v,RDS(ON)<800Ω@Vgs=10v,
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM60H12MNSA
- 商品编号
- C22396741
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@8uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.08pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 4.53pF |
商品特性
- 耗尽模式
- 增强型静电放电（ESD）能力
- 符合RoHS和REACH标准
- 无卤素和锑
- 1级防潮敏感度