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SiLM5350MDDCM-DG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SiLM5350MDDCM-DG

单通道10A隔离栅极驱动器

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描述
是单通道隔离栅极驱动器,适用于IGBT和MOSFET,具有10A源极和10A灌极峰值输出电流。提供可单独控制上升和下降时间的分离输出,有内部钳位以防止米勒电流引起的误开启。在SOP8W封装中具有5000 VRMS隔离,在SOP8封装中具有3000 VRMS隔离(符合UL1577标准)。相比基于标准光耦合器的栅极驱动器,带来显著的性能和可靠性提升,包括高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟、小脉冲宽度失真和更高的工作温度。适用于各种类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器。
商品型号
SiLM5350MDDCM-DG
商品编号
C22396743
商品封装
SOP-8W​
包装方式
编带
商品毛重
0.5025克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
隔离电压(Vrms)5000V
负载类型IGBT;MOSFET
通道数1
输入侧工作电压3V~18V
拉电流(IOH)10A
灌电流(IOL)10A
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
属性参数值
上升时间(tr)15ns
下降时间(tf)15ns
传播延迟 tpLH130ns
传播延迟 tpHL130ns
静态电流(Iq)2mA
CMTI(kV/us)150kV/us
驱动侧工作电压30V
功能特性米勒钳位保护

商品概述

SiLM5350是一款用于IGBT和MOSFET的单通道隔离栅极驱动器,具备10A峰值拉电流和10A峰值灌电流输出能力。SiLM5350S/R/H型号提供分路输出,可独立控制上升和下降时间。SiLM5350M/F/P型号具备内部钳位功能,可防止由米勒电流引起的误导通。该器件符合UL1577标准,SOP8W封装提供5000 VRMS隔离等级,SOP8封装提供3000 VRMS隔离等级。相比基于标准光耦的栅极驱动器,SiLM5350系列在性能和可靠性方面有显著提升,其亮点包括高共模瞬态抗扰度、低传播延迟、小脉宽失真和更高的工作温度。其高性能和高可靠性使其非常适用于各类电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器设备。

商品特性

  • 功能选项:分路输出(SiLM5350S/R/H型号)或内部钳位(SiLM5350M/F/P型号)
  • 10A拉电流输出
  • 10A灌电流输出
  • 10A有源米勒钳位电流
  • 典型值80ns的传播延迟
  • 最大值40ns的器件间延迟匹配
  • 最大值40ns的脉宽失真
  • 最小值150kV/μs的共模瞬态抗扰度
  • 输入侧电源电压范围:3V 至 18V
  • 驱动侧电源电压范围:4V 至 30V
  • 提供12.5V、8.5V、5.5V和3.5V的欠压锁定选项
  • 输入引脚支持TTL电平和负5V处理能力
  • 结温Tj范围:-40°C 至 +150°C
  • 安全认证:符合UL 1577标准(SOP8W封装5000VRMS隔离1分钟,SOP8封装3000VRMS隔离1分钟);符合GB4943.1-2022的CQC认证;符合DIN VDE 0884-17: 2021-10标准(待定)

应用领域

  • 交流和无刷直流电机驱动器
  • 可再生能源逆变器
  • 高压DC-DC转换器
  • 工业电源

数据手册PDF