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SiLM5350MDDCM-DG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SiLM5350MDDCM-DG

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描述
是单通道隔离栅极驱动器,适用于IGBT和MOSFET,具有10A源极和10A灌极峰值输出电流。提供可单独控制上升和下降时间的分离输出,有内部钳位以防止米勒电流引起的误开启。在SOP8W封装中具有5000 VRMS隔离,在SOP8封装中具有3000 VRMS隔离(符合UL1577标准)。相比基于标准光耦合器的栅极驱动器,带来显著的性能和可靠性提升,包括高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟、小脉冲宽度失真和更高的工作温度。适用于各种类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器。
商品型号
SiLM5350MDDCM-DG
商品编号
C22396743
商品封装
SOP-8W​
包装方式
编带
商品毛重
0.5025克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
隔离电压(Vrms)5000
负载类型IGBT;MOSFET
通道数1
输入侧工作电压3V~18V
拉电流(IOH)10A
灌电流(IOL)10A
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
属性参数值
上升时间(tr)15ns
下降时间(tf)15ns
传播延迟 tpLH130ns
传播延迟 tpHL130ns
静态电流(Iq)2mA
CMTI(kV/us)150kV/us
驱动侧工作电压30V

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