温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPT012N08N5ATMA1-VB
N沟道 耐压:80V 电流:350A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- TOLL；N—Channel沟道,80V；350A；RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPT012N08N5ATMA1-VB
- 商品编号
- C22395928
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
商品特性
- 沟道型场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
相似推荐
其他推荐
- IPT012N08N5-VB
- IPT007N06NATMA1-VB
- IPP220N25NFDAKSA1-VB
- IPP051N15N5AKSA1-VB
- IPL60R199CPAUMA1-VB
- IPG20N10S436AATMA1-VB
- IPD90P04P4L04ATMA2-VB
- IPD90P04P405ATMA1-VB
- IPD70R600P7S-VB
- IPD70R360P7S-VB
- IPD60R600P7S-VB
- IPD60R360P7S-VB
- IPD60R180P7SAUMA1-VB
- IPD60R180P7S-VB
- IPD380P06NMATMA1-VB
- IPB80R290C3A-VB
- IPB64N25S320ATMA1-VB
- IPB60R180P7-VB
- IPB110P06LMATMA1-VB
- IPB048N15N5LFATMA1-VB
- IPB048N15N5-VB