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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPP051N15N5AKSA1-VB

N沟道 耐压:150V 电流:140A

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描述
TO220;N—Channel沟道,150V;140A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.5~4.5V;
商品型号
IPP051N15N5AKSA1-VB
商品编号
C22395932
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
5.8克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)140A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)55nC@10V
输入电容(Ciss)8.6nF
反向传输电容(Crss)21pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)246pF

商品概述

这款功率MOSFET采用先进的沟槽(TRENCH)技术制造。该先进技术经过特别设计,可将传导损耗降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。

商品特性

  • SGT技术功率MOSFET
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 最高结温175 °C
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 电源
  • 不间断电源
  • 交流/直流开关电源
  • 照明
  • 同步整流
  • 直流/直流转换器
  • 电机驱动开关
  • 直流/交流逆变器
  • 太阳能微型逆变器
  • D类音频放大器

数据手册PDF