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FQB4N80-VB
N沟道 耐压:800V 电流:7A
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,800V；7A；RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQB4N80-VB
- 商品编号
- C22389292
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 99W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 373pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 26pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 采用高密度沟槽功率 MOSFET 技术实现超低导通电阻
应用领域
- 同步降压低端应用
- 笔记本电脑
- 服务器
- 工作站
- 负载点同步整流器