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UM6301-VB
N沟道+P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
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- 描述
- SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- UM6301-VB
- 商品编号
- C22389517
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A；4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V；55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC；8nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
优惠活动
购买数量
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