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SM4912TSKC-TRG-VB
N沟道 耐压:30V 电流:8.8A
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- 描述
- SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SM4912TSKC-TRG-VB
- 商品编号
- C22389534
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V；12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 586pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义,无卤素
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 100% 进行了栅极电阻(Rg)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 笔记本电脑核心
- 电压调节模块（VRM）/负载点（POL）