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FQD3P50TM-VB
P沟道 耐压:200V 电流:3.6A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-500V；-4A；RDS(ON)=4000(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-3V；采用Plannar技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQD3P50TM-VB
- 商品编号
- C22389507
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.485克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
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