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STP25NM50N-VB
N沟道 耐压:500V 电流:18A
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- 描述
- TO220；N—Channel沟道,500V；30A；RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STP25NM50N-VB
- 商品编号
- C22389223
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 低品质因数(FOM):导通电阻(Ron)× 栅极电荷(Qg)
- 低输入电容(Ciss)
- 降低开关和导通损耗
- 低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定值(UIS)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
- 硬开关拓扑
- 功率因数校正电源(PFC)
- 开关模式电源(SMPS)
- 计算设备
- 个人电脑银盒 / ATX 电源
- 照明
- 两级 LED 照明