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2SK3659-VB
N沟道 耐压:30V 电流:140A
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- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,30V；140A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK3659-VB
- 商品编号
- C22389244
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.765nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 725pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 原边开关-隔离式DC/DC转换器