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VBP2205N
1个P沟道 耐压:200V 电流:55A
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- 描述
- TO247；P—Channel沟道,-200V；-55A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-2~-4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP2205N
- 商品编号
- C22372739
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 590pF |
商品概述
BUK9214-30A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 60 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 9 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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