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VBP1151N
1个N沟道 耐压:150V 电流:150A
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- 描述
- TO247；N—Channel沟道,150V；150A；RDS(ON)=1.2mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP1151N
- 商品编号
- C22372741
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 16.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 535pF |
商品特性
- 耗尽型（常开）
- 增强型静电放电能力
- 快速开关速度
- 高击穿电压：850V
- 小封装尺寸：SOT - 23
- 符合RoHS标准
- 可提供无卤产品
应用领域
- 常开开关
- 启动电路
- 固态继电器
- 电信
- 电源
- 电流调节器
- 点火模块