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DMS8515E
耗尽型MOSFET
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- 描述
- 耗尽型MOSFET_N-Channel_850V_0.02A_1.5W_SOT-223
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMS8515E
- 商品编号
- C22371817
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 393.4pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20.7pF |
商品特性
- 低固有电容
- 出色的开关特性
- 扩展的安全工作区
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 77 nC（典型值）
- VDSS = 650 V，ID = 33 A
- RDS(on)：0.115Ω（最大值）@VG = 10V
- 100%雪崩测试
- TO - 247封装
- 符合RoHS标准