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DMZ85200E
耗尽型MOSFET
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- 描述
- 耗尽型MOSFET_N-Channel_130V_0.1A_0.5W_SOT-23
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMZ85200E
- 商品编号
- C22371819
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0345克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@8uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.57nC | |
| 输入电容(Ciss) | 30.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 9.2pF |
商品概述
BSS138BK采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 50 V
- ID = 0.22 A
- RDS(ON) < 2.0 Ω @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源