MDDG2C065R060K3
MDDG2C065R060K3
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- 描述
- 碳化硅
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDDG2C065R060K3
- 商品编号
- C22370505
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 第三代碳化硅MOSFET技术
- 高阻断电压与低导通电阻
- 低电容高速开关
- 具有低反向恢复（Qrr）的快速本征二极管
- 无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 电动汽车充电
- 服务器电源
- 太阳能光伏逆变器
- 不间断电源
- DC/DC转换器