MDDG2C120R016K3
MDDG2C120R016K3
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- 描述
- 碳化硅
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDDG2C120R016K3
- 商品编号
- C22370506
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 115A | |
| 耗散功率(Pd) | 556W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 207nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.085nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 230pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.3mΩ |
商品特性
- 第三代碳化硅MOSFET技术
- 高阻断电压和低导通电阻
- 高速开关和低电容
- 快速本征二极管和低反向恢复(0ₙ)
- 无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 太阳能逆变器
- 电动汽车电机驱动
- 高压直流/直流转换器
- 开关电源
- 负载开关