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RS4N65L
N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- 高压MOS，LED驱动，适配器,充电器,工控电源
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS4N65L
- 商品编号
- C22364774
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.226克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 543pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品特性
- 快速开关速度
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)