温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RS100N120T
耐压:100V 电流:120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 低压MOS-SGT，同步整流，逆变器，电机控制，金牌电源，服务器电源，工业电源，无人机，PD快充，无线充，LED驱动电源，储能BMS
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS100N120T
- 商品编号
- C22364786
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.142857克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 590pF |
商品概述
AGM20P30AP1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，可最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- 主板/显卡核心电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器
相似推荐
其他推荐