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AGM30P25AP
1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- AGM30P25AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM30P25AP
- 商品编号
- C22364310
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 681pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 89pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 102pF |
商品概述
SI4435DY-ES是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品SI4435DY-ES为无铅产品。
商品特性
- 30V，RDS(ON) = 13.5 mΩ（典型值）@ VGS = -10 V
- RDS(ON) = 18.5 mΩ（典型值）@ VGS = -4.5 V
- 快速开关
- 采用高密度单元设计，实现低RDS(on)
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换