温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SG1M160120J
1200V碳化硅功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：高速开关。 极低的开关损耗。 IGBT兼容驱动电压（导通时为15V）。 完全可控的dv/dt。 高阻断电压和低导通电阻。 具有低反向恢复（Qrr）的快速本征二极管。应用：车载充电器/PFC。 电动汽车电池充电器
- 品牌名称
- SICHAIN(清纯)
- 商品型号
- SG1M160120J
- 商品编号
- C22363612
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 617pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@15V |