S1M040120D
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 沟道类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源击穿电压(Vds) | 1200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 73A | |
| 耗散功率(Pd) | 326W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2159pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@18V |
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1+￥24.921￥27.69
10+￥21.186￥23.54
30+￥18.963￥21.07￥632.1
90+￥16.713￥18.57￥557.1
510+￥15.678￥17.42￥522.6
990+￥15.21￥16.9￥507
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