S1M040120H
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 封装类型 | 单管 | |
| 沟道类型 | 1个N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源击穿电压(Vds) | 1200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 耗散功率(Pd) | 357W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2159pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| Coss-输出电容 | 127pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@18V |
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1+￥25.164￥27.96
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30+￥19.908￥22.12￥663.6
90+￥17.667￥19.63￥588.9
510+￥16.632￥18.48￥554.4
990+￥16.164￥17.96￥538.8
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