MX5050L
MX5050L
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- 描述
- MX5050L高侧理想二极管控制器与外部MOSFET配合使用,当与电源串联时用作理想二极管整流器。该理想二极管控制器可使MOSFET替换主回路中的防反二极管,从而降低功耗和压降。MX5050L控制器为外部N沟道MOSFET和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动,在电流反向时关断MOSFET。
- 商品型号
- MX5050L
- 商品编号
- C22363480
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0486克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 理想二极管/ORing控制器 | |
| 输入电压(Vin) | 1V~40V | |
| FET类型 | 外置FET | |
| 栅极驱动电压 | 14V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 正向压降(Vf) | 60mV | |
| 静态电流(Iq) | 45uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 灌电流(IOL) | 2A |
商品概述
MX5050L高侧理想二极管控制器与外部MOSFET配合使用,当与电源串联时用作理想二极管整流器。该理想二极管控制器可使MOSFET替换主回路中的防反二极管,从而降低功耗和压降。MX5050L控制器为外部N沟道MOSFET和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动,在电流反向时关断MOSFET。MX5050L可连接5V至40V的电源,当输入电压在1V到4V之间时,VS需要另外接5V以上的供电。和MX5050T相比,MX5050L的正向开启压降和反向关断压降电压Vsd(rev),Vsd(reg)比MX5050T更低,更容易使外部MOSFET进入完全导通状态和快速关断状态
商品特性
- 宽工作输入电压范围VIN: 1V到40V (VIN < 5V时需要VBIAS)
- 650V瞬态电压
- 适用于外部N沟道MOSFET的电荷泵栅极驱动器
- 电流反向时可快速响应
- 2A峰值栅极关断电流
- 超小VDS关断电压,缩短关断时间
- SOT23-6L封装
应用领域
- 冗余 (N + 1) 电源的有源OR-ing s
