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VBM16R34S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

VBM16R34S

1个N沟道 耐压:600V 电流:34A

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描述
TO220;N—Channel沟道,600V;34A;RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2.5~4.5V;
商品型号
VBM16R34S
商品编号
C22357347
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)34A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@10V
耗散功率(Pd)140W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)41nC@10V
输入电容(Ciss)3.7nF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)80pF

商品特性

  • 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
  • 低输入电容(Ciss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 超低栅极电荷(Qg)
  • 雪崩能量额定值(UIS)
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 功率因数校正电源(PFC)
  • 照明
  • 高强度气体放电灯(HID)
  • 荧光灯镇流器照明
  • 工业领域
  • 焊接
  • 感应加热
  • 电机驱动
  • 电池充电器
  • 可再生能源
  • 太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF