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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

VBE16R15S

1个N沟道 耐压:600V 电流:30A

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描述
TO252;N—Channel沟道,600V;30A;RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2.5~4.5V;
商品型号
VBE16R15S
商品编号
C22357366
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.88克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))240mΩ@10V
耗散功率(Pd)180W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)205nC@10V
输入电容(Ciss)1.9nF
反向传输电容(Crss)12pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)51pF

商品特性

  • 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
  • 超快速体二极管
  • 降低开关和导通损耗
  • 超低栅极电荷 (Qg)
  • 雪崩能量额定值 (UIS)

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 功率因数校正电源 (PFC)
  • 照明
  • 高强度气体放电灯 (HID)
  • 荧光镇流器照明
  • 工业领域

数据手册PDF