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SiHD240N60E-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SiHD240N60E-VB

1个N沟道 耐压:600V 电流:15A

描述
TO252;N—Channel沟道,600V;30A;RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2.5~4.5V;
商品型号
SiHD240N60E-VB
商品编号
C22357134
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))240mΩ@10V
耗散功率(Pd)180W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)1.9nF
反向传输电容(Crss)12pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)51pF

商品特性

  • 低品质因数 (FOM) R_on × Q_g
  • 低输入电容 (C_iss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 超低栅极电荷 (Q_g)
  • 雪崩能量额定 (UIS)
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤

应用领域

  • 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)

数据手册PDF