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IPB60R070CFD7-VB

1个N沟道 耐压:600V 电流:41A

描述
TO263;N—Channel沟道,600V;41A;RDS(ON)=62mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2.5~4.5V;
商品型号
IPB60R070CFD7-VB
商品编号
C22357148
商品封装
TO-263​
包装方式
管装
商品毛重
2.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)41A
导通电阻(RDS(on))62mΩ@10V
耗散功率(Pd)180W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)102nC@10V
输入电容(Ciss)4.5nF
反向传输电容(Crss)4pF
类型N沟道
输出电容(Coss)80pF

商品特性

  • 低品质因数(FOM):导通电阻Ron乘以栅极电荷Qg
  • 超快体二极管
  • 降低开关和导通损耗
  • 超低栅极电荷(栅极电荷Qg)
  • 雪崩能量额定(UIS)

应用领域

-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域

数据手册PDF