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NCE60P05BY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE60P05BY

1个P沟道 耐压:60V 电流:5A

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描述
NCE60P05BY采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(Rds(on))。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品型号
NCE60P05BY
商品编号
C22355848
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0565克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))85mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
栅极电荷量(Qg)15.8nC@10V
输入电容(Ciss)1.153nF@30V
反向传输电容(Crss)77.7pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

数据手册PDF