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IS25LX064-JHLA3-TR引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS25LX064-JHLA3-TR

64/32Mb串行闪存存储器,八进制I/O,带片上ECC的xSPI接口,200MHz(1.8V),133MHz(3.0V)

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品牌名称
ISSI(北京矽成)
商品型号
IS25LX064-JHLA3-TR
商品编号
C22219566
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量64Mbit
时钟频率(fc)133MHz
工作电压2.7V~3.6V
属性参数值
待机电流10uA
擦写寿命100000次
数据保留 - TDR(年)20年
功能特性硬件写保护;写使能锁存;ECC纠错;软件写保护

商品概述

IS25LX064/032和IS25WX064/032串行闪存为简化引脚封装提供了高灵活性和高性能的通用存储解决方案。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件符合JEDEC标准xSPI(扩展串行外设接口)。非易失性和易失性配置寄存器可分别进行默认和临时设置,如读取操作空周期和环绕模式、内存保护、输出缓冲器阻抗、SPI协议类型和XIP模式。内存按统一的128KB扇区、4KB和32KB子扇区以及256字节页进行组织,也支持可选的64KB扇区。该器件包含可永久锁定的64字节OTP区域。在八进制DDR协议中直接启动可提供高性能和易用性,使主机与器件之间无需配置扩展SPI协议操作即可进行通信。不过,该器件仍支持扩展SPI和八进制DDR协议,以确保对旧系统的支持和轻松迁移。扩展SPI协议根据命令在一条或八条数据线上支持地址和数据传输。由于扩展SPI的命令仅通过DQ0发送,因此支持XIP功能。八进制DDR协议中的信息始终通过八条数据线在时钟的上升沿和下降沿进行传输。在访问单元阵列(读取/编程)时,DDR模式下的最小传输数据大小为2字节,因此起始地址的LSB必须始终为“0”。大多数旧的x1 SPI命令都受支持,但由于命令在时钟的上升沿和下降沿都被锁存,因此只需要一个时钟周期。在八进制DDR协议中,地址周期固定为闪存阵列的4字节(32位)操作。主机在向内存输入操作期间无需驱动DQS。内存的数据输入(DQ)仍依赖时钟(C)来锁存所有地址和数据操作。由于命令解码的关键时序,大多数寄存器输出需要空时钟周期。借助DQS进行输出数据锁存,空时钟的数量对主机是透明的。暂停和恢复命令可暂停和恢复编程/擦除操作。在可选器件(选项L)中,写时读操作可在特定存储体进行编程或擦除操作时,从三个存储体之一开始读取操作,而不会中断编程或擦除操作。有三种数据完整性检查功能:ECC用于防止存储数据出错;地址奇偶校验仅用于八进制DDR模式,防止地址传输错误;阵列数据CRC(数据奇偶校验)仅用于八进制DDR模式,防止数据传输错误。仅读取操作支持可选的PSC(相移时钟),以偏移DQS信号,在八进制DDR模式下,该信号相对于主时钟(SCK)相移,以便控制器将DQS信号置于有效数据窗口内。

商品特性

  • 行业标准串行接口
  • IS25LX064:64Mbit/8Mbyte
  • IS25WX064:64Mbit/8Mbyte
  • IS25LX032:32Mbit/8Mbyte
  • IS25WX032:32Mbit/8Mbyte
  • 符合JEDEC标准xSPI(扩展SPI)
  • 协议:扩展SPI(1S-xy-xy)(2) 八进制DDR(8D-8D-8D)
  • 高性能
  • 支持高达以下的时钟频率:
  • IS25WX(1.8V):SDR - 166MHz,DDR - 200MHz
  • IS25LX(3.0V):SDR /DDR - 133MHz
  • 支持执行就地(XIP)
  • 每16字节边界进行2位检测和1位纠错(带ECC)
  • 支持阵列数据CRC/地址奇偶校验功能
  • 支持可选的PSC(相移时钟)(1),可将DQS置于读取数据有效窗口的中心
  • 用于训练操作的数据学习模式
  • 超过100,000次擦除/编程周期
  • 超过20年的数据保留期
  • 安全和写保护
  • 每个128KB扇区具有易失性和非易失性锁定以及软件写保护
  • 密码保护
  • 硬件写保护:非易失性位(BP [3:0]和TB)定义受保护区域大小
  • 高效的读取和编程模式
  • 输入数据格式
  • SPI:1字节命令 + 3/4字节地址
  • 八进制:2字节命令 + 4字节地址
  • 编程/擦除暂停操作
  • 128KB扇区擦除(3)和4KB/32KB子扇区擦除
  • 宽温度范围下的低功耗
  • 单电压供电:IS25LX:2.70V至3.60V,IS25WX:1.70V至2.0V
  • 10μA待机电流
  • 1μA深度掉电
  • 温度等级:
  • 扩展级:-40°C至+105°C
  • 自动A3级:-40°C至+125°C
  • 灵活高效的内存架构
  • 4存储体架构,支持在编程/擦除操作时进行读取(4)
  • 每页可编程1至256字节
  • 主内存外有专用的64字节OTP区域
  • 硬件特性
  • C输入:串行时钟输入
  • DQ0 - DQ7:串行数据输入和输出
  • RESET#:硬件复位引脚
  • DQS:数据选通信号
  • ERR#:错误指示信号
  • W#:可选写保护信号(1)
  • 电子签名
  • JEDEC标准3字节签名
  • 扩展设备ID:额外的两个字节用于识别设备工厂选项
  • 配置
  • 在SDR x1模式下启动
  • 在DDR x8模式下启动(联系工厂)
  • 行业标准引脚排列和封装
  • H = 24球TFBGA 6x8mm(5x5球阵列)
  • KGD(联系工厂)
  • 无卤,符合RoHS和TSCA标准

数据手册PDF