IS49NLC36800A-18WBLI
Common I/O RLDRAM 2 Memory，533MHz DDR 操作，差分输入时钟，峰值带宽38.4Gb/s
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS49NLC36800A-18WBLI
- 商品编号
- C22219571
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 533MHz DDR操作（1.067 Gb/s/引脚数据速率）
- 38.4Gb/s峰值带宽（在533 MHz时钟频率下为x36）
- 减少循环时间（533MHz时为15ns）
- 32ms刷新（每个存储体16K刷新；每32ms必须总共发出128K刷新命令）
- 8个内部存储体
- 非复用地址（可选地址复用）
- SRAM类型接口
- 可编程读取延迟（RL）、行循环时间和突发序列长度
- 平衡读取和写入延迟，以优化数据总线利用率
- 数据掩码信号（DM）用于屏蔽写入数据信号；DM在DK的两个边沿采样
- 差分输入时钟（CK、CK#）
- 差分输入数据时钟（DKx、DKx#）
- 片上DLL生成CK边沿对齐的数据和输出数据时钟信号
- 数据有效信号（QVLD）
- HSTL I/O（标称1.5V或1.8V）
- 25 - 60Ω匹配阻抗输出
- 2.5V VEXT、1.8V VDD、1.5V或1.8V VDDQ I/O
- 片上终端（ODT）RTT
- 符合IEEE 1149.1的JTAG边界扫描
- 工作温度：商业级（TC = 0°C至 + 95°C）；工业级（TC = -40°C至 + 95°C；TA = -40°C至 + 85°C）
- ISL1904FAZ-TK
- ISL28635EV2Z
- ISL3179EFUZ-T
- ISL80138EVAL1Z
- ISL88003IH44Z-TK
- IW-G33M-SCMD-4L002G-E008G-BIM
- IX31G-B-10S-CVL2(7.0)
- IXD1415BB17ER-G
- IXD1415BB21MR-G
- IXD1415BB337R-G
- IXD1415BB69ER-G
- IXD1415CC79ER-G
- IXD1415FF16ER-G
- IXD1415GG62ER-G
- IXD1415HH94ER-G
- IXD1504A301MR-G
- IXD1504A311NR-G
- J-150-150
- JA77886
- JBXEA2G18MCSDS
- JBXEA3G30FSSDS