MC27C64-20
64K(8Kx8)CHMOS可擦除PROM
- 商品型号
- MC27C64-20
- 商品编号
- C22072002
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 写周期时间(Tw) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 写周期寿命 | - | |
| 功能特性 | 噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
英特尔M27C64是一款仅需5V供电的65,536位紫外线可擦除且电可编程只读存储器(EPROM)。M27C64采用先进的CHMOS II - E电路,适用于要求低功耗、高性能速度和抗噪声的系统。与典型的64K EPROM相比,M27C64功耗极低。最大工作电流为25 mA,最大待机电流仅为140 μA。待机模式可在不增加访问时间的情况下降低功耗。M27C64还设计了一些先进功能,如快速脉冲编程、智能编程算法和智能识别模式,可实现快速可靠的编程。双线控制和JEDEC批准的28引脚封装是英特尔所有高密度EPROM的标准特性,便于微处理器接口连接,在升级、添加或选择非易失性存储器时可减少设计工作量。通过英特尔独特的EPI处理,可实现最高程度的闩锁保护,在地址和数据引脚上承受高达100 mA的应力,电压范围从VCC - 0.5V到VCC + 0.5V。
商品特性
- 快速访问时间:M27C64 - 20为200 ns,M27C64 - 25为250 ns,M27C64 - 35为350 ns
- CHMOS II - E技术
- 极低功耗:最大工作电流25 mA,最大待机电流140 μA
- 双线控制
- 快速编程:智能编程算法、快速脉冲编程算法
- 智能识别模式
- 自动编程操作
- 与M2764A兼容
- 最大抗闩锁能力
- MCM69C233TQ15
- MCL1V0603-100-R
- MCL1V0603-121-R
- MCL1V0603-1R3-R
- MCL1V0603-1R4-R
- MD120K16D1-BP
- MD801-007-16M13-37SC
- MD801-007-16NF6-4PE
- MD801-007-16NF7-10SB
- MD801-007-16NF9-19PA
- MD801-009-02MT10-26SF
- MD801-009-07M10-26PB
- MD801-009-07M9-19SD
- MD801-009-07NF10-26PE
- MD801-009-07NF13-2PD
- MD801-009-07NF13-37PA
- MD801-009-07NF6-7PB
- MD801-009-07NF7-10PA
- MDD142-08N1
- MDD44-14N1B
- MDMA210P1600YD

