温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112

Name: micron(镁光) MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112
Brand: micron(镁光)
SKU: C22029729
Price: 45.96 CNY
Availability: OutOfStock

149引脚NAND闪存与LPDDR4/LPDDR4X多芯片封装

商品参数

参数完善中

美光NAND闪存和LPDDR4/LPDDR4X组件
符合RoHS标准的“绿色”封装
独立的NAND闪存和LPDDR4/LPDDR4X接口
节省空间的多芯片封装（MCP）
低电压操作
工业温度范围：-40°C至+85°C
汽车温度范围：-40°C至+105°C
符合AEC-Q100标准
NAND闪存特定特性：页面大小x8为4352字节（4096 + 256字节），块大小为64页，平面数量为1，VCC = 1.70 - 1.95V；标称值为1.80V
移动LPDDR4/LPDDR4X特定特性：超低电压核心和I/O电源，VDD1 = 1.70 - 1.95V；标称值为1.80V，VDD2 = 1.06 - 1.17V；标称值为1.1V，VDDQ = 1.06 - 1.17V；标称值为1.10V，或LowVDDQ = 0.57 - 0.65V；标称值为0.60V，频率范围2133 - 10MHz（数据速率范围：4266 - 20Mb/s/引脚），16n预取DDR架构，每个通道有8个内部存储体用于并发操作，单数据速率CMD/ADR输入，每个字节通道有双向/差分数据选通
可编程的读写延迟（RL/WL）
可编程和动态突发长度（BL = 16, 32）
针对并发存储体操作和命令调度的便利性进行的按存储体定向刷新
片上温度传感器以控制自刷新速率
部分阵列自刷新（PASR）
可选输出驱动强度（DS）
可编程的VSS（ODT）终端